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[1]王孝伟,李铁才,石坚,等. 三段式门极驱动抑制MOSFET关断过冲振荡的研究[J].电机与控制学报,2013,(07):1-6.
 WANG Xiao-wei,LI Tie-cai,SHI Jian,et al.-[J].,2013,(07):1-6.
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 三段式门极驱动抑制MOSFET关断过冲振荡的研究(PDF)
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《电机与控制学报》[ISSN:1007-449X/CN:23-1 408/TM]

卷:
期数:
2013年07
页码:
1-6
栏目:
出版日期:
2013-07-20

文章信息/Info

Title:
-
作者:
 王孝伟; 李铁才; 石坚; 林琦;
 哈尔滨工业大学深圳研究生院; 深圳航天科技创新研究院; 哈尔滨工业大学电气工程及自动化学院;
Author(s):
 WANG Xiao-wei1LI Tie-cai23SHI Jian1LIN Qi3
1.Harbin Institute of Technology Shenzhen Graduate School,Shenzhen 518055,China; 2.Shenzhen Academy of Aerospace Technology,Shenzhen 518057,China; 3.School of Electrical Engineering and Automation,Harbin Institute of Technology,Harbin 150001,China
关键词:
 MOSFET 电磁干扰 电压过冲 电压振荡 米勒效应
Keywords:
-
分类号:
TN386.1
DOI:
-
文献标志码:
A
摘要:
 针对电机等感性负载电路中,金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconduc-tor field effect transistor,MOSFET)关断瞬间容易产生高幅值的高频电压振荡,不仅增加了系统的电压应力,还为系统带来严重的电磁干扰的问题,对MOSFET的关断行为进行研究,通过分析低侧功率驱动电路中门极电压对MOSFET关断过程的影响,推导出了关断过冲电压随门极电压变化的关系式;基于分析提出了闭环的三段式门极电压控制方法,并设计了电路,电路在漏极电压首次超过母线电压的瞬间,自动生成一段辅助电平信号,并施加至门极,用以抑制电压过冲和振荡。分析及实验结果表明,该电路简单、灵活、动态响应迅速,可以非常有效的抑制高幅值的高频电压振荡。
Abstract:

参考文献/References:

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备注/Memo

备注/Memo:
 “十二五”国防预研资助项目
更新日期/Last Update: 2013-12-24